| 題名 | 著者 | 年度 |
|---|---|---|
| ペロブスカイト半導体におけるナノドットの形成とその電子構造：第一原理計算による研究 | 冨田愛美 | 令和4年 |
| 第一原理計算によるHfO2の強誘電性の研究 | 牧芳和 | 令和4年 |
| 酸素空孔の帯電が誘起する金属酸化物の構造変化：第一原理計算による研究 | 新井千慧 | 令和3年 |
| 半導体pn接合における不純物・欠陥による トンネル電流の揺らぎの理論研究 | 加藤珠良偉 | 令和3年 |
| 単純金属/Ge界面におけるフェルミレベル・デピニング：第一原理計算による研究 | 西本瑛 | 令和3年 |
| 金属/Ge界面のショットキーバリアの変調：第一原理計算による研究 | 植田夏葉 | 令和2年 |
| 金属酸化物中の酸素空孔の分布と拡散：第一原理計算による検討 | 笈川拓也 | 令和2年 |
| 第一原理計算によるペロブスカイト半導体の２光子吸収スペクトルの研究 | 初鹿純奈 | 令和2年 |
| 帯電が誘起する強誘電な斜方晶HfO2の形成 : 第一原理計算による検討 | 白石悠人 | 令和元年 |
| ポテンシャル変調したSi-p/n接合におけるトンネル電流の理論 | 趙祥勲 | 令和元年 |
| 第一原理計算によるハロゲン化鉛ペロブスカイト半導体へのドーピング特性の研究 | 赤井慧 | 平成30年 |
| 電場下での金属/半導体界面における欠陥の形成過程；第一原理計算による検討 | 長澤立樹 | 平成30年 |
| 金属/Ge界面のフェルミレベル・デピニングの起源：第一原理計算に基づく検討 | 西本俊輝 | 平成30年 |
| 第一原理計算による金属原子の有機分子固体への侵入拡散過程の研究 | 渡邊駿汰 | 平成30年 |
| 第一原理計算によるSiO2絶縁膜中での金属クラスターの安定性の研究 | 山﨑翔太 | 平成29年 |
| 電場下の金属／絶縁体界面における金属原子のイオン化侵入過程と合金効果 | 浅山佳大 | 平成28年 |
| 有機分子半導体における金属原子の吸着形態と荷電特性 | 川端康平 | 平成28年 |
| 第一原理計算によるBaSi2中のボロンクラスターの安定性の研究 | 長澤晶斗 | 平成28年 |
| 第一原理計算によるBaSi2 の不純物・表面・界面の電子物性の研究 | 大須賀祐喜 | 平成27年 |
| 絶縁膜中での金属原子の安定性：第一原理計算による検討 | 恩田由紀子 | 平成27年 |
| 金属/Ge界面における欠陥とショットキーバリア：第一原理計算による研究 | 佐々木奨悟 | 平成27年 |
| 有機半導体界面における励起子ポーラロンの散乱過程 | 枡潟慶充 | 平成27年 |
| 有機半導体中の不純物準位と電気伝導特性：第一原理計算による検討 | 佃真吾 | 平成26年 |
| 金属／SiO2界面における金属原子の拡散とイオン化：第一原理計算による検討 | 桧山正晃 | 平成26年 |
| 半導体ヘテロ界面における励起子の量子解離過程 | 佐藤紅介 | 平成25年 |
| 金属/半導体界面での原子の拡散・偏析・混晶化過程 | 平松智記 | 平成25年 |
| 自己組織化単分子膜における金属原子の拡散 | 吉田一行 | 平成25年 |
| 分子架橋におけるループ電流に関する理論研究 | 飯塚秀行 | 平成24年 |
| 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変化の理論的検討 | 小日向恭祐 | 平成22年 |
| グラフェンに吸着した金属原子の電子構造 | 朴泰昱 | 平成22年 |
| 第一原理計算によるシリサイドの安定性とドーピングの研究 | 五月女真一 | 平成21年 |
| 金属／シリコン界面の原子挿入層の安定性とショットキーバリアに関する研究 | 丸田勇亮 | 平成21年 |
| アミノ酸結合系の電子構造と誘電特性 | 梅林陽 | 平成20年 |
| ナノリンク表面分子における量子摩擦の理論研究 | 茂野洋一 | 平成20年 |
| 界面層によるショットキーバリア変調の研究 | 湯野裕高 | 平成20年 |
| ニッケルシリサイドNixSiyの電子構造と安定性の研究 | 進士翔 | 平成19年 |
| ナノコンタクト系の過渡電流における分子内自由度の効果 | 富田陽子 | 平成19年 |
| 第一原理計算に基づく金属/La2O3界面の仕事関数に関する研究 | 西山聡 | 平成19年 |
| 金属／high-k絶縁酸化膜界面における原子結合とショットキーバリアの関係 | 鮎田隆一 | 平成１８年 |
| 金属／high-k絶縁酸化膜界面の構造欠陥物性に関する研究 | 仁井陽道 | 平成１８年 |
| 表面光学応答スペクトルにおける垂直分極効果 | 柴田和宣 | 平成１７年 |
| InN表面の電子構造と安定性 | 武井祐樹 | 平成１７年 |
| 金属/半導体界面における混晶化現象の化学的傾向に関する第一原理計算 | 板谷哲 | 平成１６年 |
| AlN(0001)表面の極性転換機構に関する第一原理計算 | 三上潤 | 平成１５年 |
| ルチル型二酸化チタン表面におけるホールによる酸素欠陥発生過程の研究 | 梶田晴司 | 平成１５年 |
| カゴメ型量子細線系に生じるフラットバンド励起子の数値計算 | 石井宏幸 | 平成１４年 |
| 金属光沢有機分子結晶の電子構造 | 小田将人 | 平成１４年 |
| シリコン結晶中のマクロ欠陥生成・消滅のシミュレーション | 小林亮 | 平成１４年 |
| らせん型空孔半導体γIn2Se3の電子構造 | 藤田和志 | 平成１４年 |
| Si表面における金の混合反応機構の第一原理計算による研究 | 村山大記 | 平成１３年 |
| 空孔化合物半導体におけるラマンスペクトルの異方性の起源 | 大村和久 | 平成１２年 |
| ZnSe/GaAsヘテロバレント界面成長のモンテカルロシミュレーション | 佐野和亮 | 平成１１年 |
| 非平衡Green関数を用いたメゾスコピック系の電気伝導の数値計算 | 廣瀬美紀 | 平成１１年 |
| 秩序空孔型III2VI3化合物の原子配置に関するモンテカルロシミュレーション | 田山尊光 | 平成１０年 |
| 第一原理計算によるK2CuF4高圧相の電子状態 | 菰田英明 | 平成１０年 |
| 秩序空孔化合物半導体III2VI3における格子振動の数値計算 | 青木 南海子 | 平成９年 |
| ZnSe/GaAsヘテロ成長における価電子数不整効果のシミュレーションによる理論的研究 | 竹内 均 | 平成９年 |
| 異方性媒質中のフォトニックバンド構造 | 西沢 秀樹 | 平成７年 |
| 磁場中タイトバインディング近似による電子のエネルギースペクトル | 及川 一郎 | 平成５年 |
| First-principles Calculation of Electronic Structures and Optical Properties of Semiconductor Hetero Systems (半導体ヘテロ系の電子構造と光学的性質に関する第一原理からの理論的研究) | 村山 美佐緒 | 平成４年 |
| Effects of Interface Atomic Configurations on Electronic Structures of Semiconductor Superlattices (半導体超格子電子状態に対する界面原子配置の効果) | 小田 克矢 | 平成３年 |